納米技術下一代是什麼?

General 更新 2024年4月15日

英特爾下一代處理器是什麼？採用多少納米？

代號為Sandy Bridge，官方宣傳為14nm，今年晚些時候發佈，推遲了大半年至一年。

納米材料的四大效應及其實際意思是什麼啊？ 10分

表面效應：當顆粒的直徑減小到納米尺度範圍時，隨著粒徑減小，比表面積和表面原子數迅速增加。

量子尺寸效應：當金屬或半導體從三維減小至零維時，載流子在各個方向上均受限，隨著粒子尺寸下降到接近或小於某一值（激子玻爾半徑）時，費米能級附近的電子能級由準連續能級變為分立能級的現象稱為量子尺寸效應。金屬或半導體納米微粒的電子態由體相材料的連續能帶過渡到分立結構的能級，表現在光學吸收譜上從沒有結構的寬吸收過渡到具有結構的特徵吸收。量子尺寸效應帶來的能級改變、能隙變寬，使微粒的發射能量增加，光學吸收向短波長方向移動（藍移），直觀上表現為樣品顏色的變化，如CdS微粒由黃色逐漸變為淺黃色，金的微粒失去金屬光澤而變為黑色等。同時，納米微粒也由於能級改變而產生大的光學三階非線性響應，還原及氧化能力增強，從而具有更優異的光電催化活性[5,6]。

小尺寸效應[7]：當物質的體積減小時，將會出現兩種情形：一種是物質本身的性質不發生變化，而只有那些與體積密切相關的性質發生變化，如半導體電子自由程變小，磁體的磁區變小等；另一種是物質本身的性質也發生了變化，當納米材料的尺寸與傳導電子的德布羅意波長相當或更小時，週期性的邊界條件將被破壞，材料的磁性、內壓、光吸收、熱阻、化學活性、催化活性及熔點等與普通晶粒相比都有很大的變化，這就是納米材料的體積效應，亦即小尺寸效應。這種特異效應為納米材料的應用開拓了廣闊的新領域，例如，隨著納米材料粒徑的變小，其熔點不斷降低，燒結溫度也顯著下降，從而為粉末冶金工業提供了新工藝；利用等離子共振頻移隨晶粒尺寸變化的性質，可通過改變晶粒尺寸來控制吸收邊的位移，從而製造出具有一定頻寬的微波吸收納米材料。

宏觀量子隧道效應：微觀粒子具有貫穿勢壘的能力稱為隧道效應。近年來，人們發現一些宏觀量，例如：微粒的磁化強度、量子相干器件中的磁通量以及電荷等也具有隧道效應，它們可以穿越宏觀系統中的勢壘併產生變化，稱為宏觀量子隧道效應[8]．利用這個概念可以定性解釋超細鎳粉在低溫下繼續保持超順磁性。Awachalsom等人採用掃描隧道顯微鏡技術控制磁性粒子的沉澱，並研究低溫條件下微粒磁化率對頻率的依賴性，證實了低溫下確實存在磁的宏觀量子隧道效應[9]宏觀量子隧道效應的研究對基礎研究和實際應用都有重要的意義。它限定了磁帶、磁盤進行信息存儲的時間極限。宏觀量子隧道效應與量子尺寸效應，是未來微電子器件的基礎，或者說確立了現有微電子器件進一步微型化的極限。

庫侖堵塞與量子隧穿[10,11] ：當體系的尺度進入到納米級（一般金屬粒子為幾個納米，半導體粒子為幾十納米），體系是電荷“量子化”的，即充電和放電過程是不連續的，充入一個電子所需的能量Ec為e2/2C，e為一個電子的電荷，C為小體系的電容，體系越小，C越小，能量Ec越大。我們把這個能量稱為庫侖堵塞能。換句話說，庫侖堵塞能是前一個電子對後一個電子的庫侖排斥能，這就導致了對一個小體系的充放電過程，電子不能集體傳輸，而是一個一個單電子的傳輸。通常把小體系中這種單電子輸運行為稱為庫侖堵塞效應。如果兩個量子點通亥一個“結”連接起來，一個量子點上的單個電子穿過能壘到另一個量子點上的行為稱作量子隧穿。利用庫侖堵塞和量子隧穿效應可以設計下一代的納米結構器件，如單電子晶體管和量子開關等。以上幾種效應都是納米微粒和納米固體的基本特性，它使納米微粒和納米固體呈現出許多奇特的物理和化學性質[2,12] ，出現一些不同於其它大塊材料的反常現象。這使納米材料具有了傳統材料所沒有的優異性能和巨大的應用前景，成為材料科學......

因特爾下一代CPU啥時候發佈？上一次發佈的是啥CPU？

最新的: Intel Skylake是英特爾第六代微處理器架構，採用14納米制程，是Intel Haswell微架構及其製程改進版Intel Broadwell微架構的繼任者。

Intel Skylake已經在2015年8月5日21:00發佈，也就是北京時間八點整。

上一代cpu是:英特爾2015年1月6日宣佈了第五代酷睿移動處理器系列，其中，15W和28W系列產品將在年內上市，提供高效節能和更好的性能。第五代酷睿移動處理器系列採用Broadwell架構的產品，為筆記本電腦帶來更好的性能和更長的電池壽命。它們的核心面積減小37%，晶體管數量多出35%。新的第五代酷睿移動處理器採用14nm工藝，晶體管數量高達19億個。和Haswell產品相比，視頻轉換時速度最多快50%，3D圖形性能最高提升22%。採用第五代處理器輕薄本產品的續航將可以突破10-12個小時甚至更長。此次酷睿系列搭載的顯卡將支持4K視頻的硬件解碼。使得播放4K視頻時的CPU佔有率由原來的40%-90%大幅降低為4%-10%。此外，WiDi無線顯示也將在這一代產品中支持無線傳輸4K視頻。這14款酷睿處理器中，有10款功耗為15W的處理器採用英特爾核芯顯卡，4款28W的處理器採用英特爾銳炬顯卡。另外第五代酷睿處理器支持一些全新的人機交互模式，如英特爾的RealSense（3D實感技術）。

下一代的CPU需要猜測:

摩爾定律是由英特爾（Intel）創始人之一戈登·摩爾（Gordon Moore）提出來的。其內容為：當價格不變時，集成電路上可容納的元器件的數目，約每隔18-24個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。換言之，每一美元所能買到的電腦性能，將每隔18-24個月翻一倍以上。這一定律揭示了信息技術進步的速度。

儘管這種趨勢已經持續了超過半個世紀，摩爾定律仍應該被認為是觀測或推測，而不是一個物理或自然法。預計定律將持續到至少2015年或2020年[1] 。然而，2010年國際半導體技術發展路線圖的更新增長已經放緩在2013年年底，之後的時間裡晶體管數量密度預計只會每三年翻一番。

藍光的下一代是什麼

目前，藍光是最先進的大容量光盤格式，用以儲存高畫質的影像和高容量的數據。日本研究人員稱，他們製造出氧化鈦的一種新的結晶形式，可以用於製造“超級”藍光光盤，這種光盤不僅價格更加低廉，而且其數據存儲能力是DVD的幾千倍。日本東京大學的化學教授Shin-ichi Ohkoshi團隊在《自然—化學》網站發表文章指出，這種物質是氧化鈦的一種新的結晶形式，在室溫下，當它受到光線的刺激時，能夠從導電的純黑色的金屬態轉化為棕色的半導體態，這為數據存儲創造出一種有效的開關功能，它有潛力成為下一代光存儲設備的主要組成物質。 Shin-ichi Ohkoshi表示，隨著光線改變顏色的物質能夠被用來製造存儲設備，因為不同的顏色通過反射不同的光可以存儲不同的信息。研究人員表示，如果全部使用5納米大小的粒子來製造該物質，製造出的新藍光光盤能夠容納的信息是目前藍光光盤存儲信息的一千多倍。另外，目前可讀寫的藍光光盤和DVD光盤使用的材料主要為一種被稱為鍺銻碲合金的稀有物質，而氧化鈦的市場價格不到鍺銻碲合金的百分之一。同時，研究人員指出，氧化鈦很安全，其應用範圍也很廣泛，從擦臉粉到白漆都可見其“倩影”。 Shin-ichi Ohkoshi表示，目前還不知道使用了這種物質的光盤何時能夠生產並應用於實踐，他正在同私人公司接洽，希望其更早實現商業化生產。

蘋果7的納米技術

蘋果下一代移動設備所使用的 A9 芯片，將會採用全新的製程工藝，其供應商為三星電子、臺積電以及GlobalFoundries。

最近兩年，三星電子、臺積電和 GlobalFoundries 一直都在對蘋果的A系列芯片進行著激烈競爭，其競爭點就在不同的製程工藝。據瞭解，目前只有三星電子和 GlobalFoundries 能夠採用 14nm 的製程工藝，臺積電的製程工藝為 16nm。目前蘋果 A8 芯片基於 20nm 製程工藝，下一代芯片無論採用14nm還是16nm的工藝，其所帶來的性能飛躍將是不可忽視的。研祥

oled和量子點哪個才是下一代電視技術

oled和量子點技術差異對比

首先，讓我們共同回顧一下兩種技術在工作原理上的不同。OLED，靠的是小型LED陣列，這些LED燈可以呈現不同的色彩。在結構上，OLED中的LED採用有機材料製造，而且還覆蓋了磷光層，可以自行發光，所以該技術省掉了傳統LCD上的背光層。廠商只要對各層的排列進行微調，就可以得出不同的顯示效果。

相比之下，量子點技術在工作原理上就完全不同了。這種技術靠的不是LED，而是直徑只有2到10納米的導電晶體。這些晶體可以相互結合，通過晶體直徑大小的變化顯示出不同的色彩，而且其亮度可以達到相當高的水準。不過現有的量子點屏幕還在使用藍色LED背光模組，因此量子點在其中充當了濾光層的角色。

雖然量子點可以發光，但眼下業界主要將它當濾光層使用。

oled和量子點在色域和可視角度大比拼

與LCD相比，OLED的色域要廣得多，其帶給消費者的視覺體驗和色彩的準確度都更加出色，因此OLED屏幕一直都是媒體業的寵兒。為什麼LCD在這兩項上這麼差呢？因為它使用的白色背光模組色彩不夠純正(藍光LED經黃色磷光層過濾後生成白光)。不過量子點的色準相當好，因此技術人員可以直接用紅綠濾光器將藍光過濾成純淨的白光，這樣一來，LCD色準差的缺陷就得到了彌補。

由於克服了LCD技術的先天缺陷，在生產過程中就可以大大減少對濾光層的色彩補償，因此量子點面板的亮度和色域都得到了極大的提升。實際使用中，量子點面板的色準甚至能超過OLED面板。

LG宣稱自家旗艦手機G4的量子點屏幕色域達到98%

不過，由於沒能徹底去掉背光層，眼下量子點面板顯示黑色時還是不夠純淨(OLED屏幕顯示黑色畫面時可以徹底關閉相關子像素)，另外，其對比度也無法達到頂級水準。因此，OLED面板在高對比度和高動態範圍場景下依然優勢明顯。

LCD的可視角度一直都是一大槽點，很不幸，同樣使用背光模組的量子點面板也沒能逃出這個魔咒。由於濾光層的存在，造成了一些光線的散射，因此在側面觀看屏幕時會發現屏幕有些泛白。如果不能徹底去除背光層，量子點面板的可視角度就無法顯著增大。

製造工藝和成本對比

當然，任何拋去成本的對比都是耍流氓，成本上的優勢也是LCD依舊活躍在市場上的重要原因之一。

雖然隨著技術的發展，OLED面板的成本在不斷下降，但由於其工藝複雜，良品率低，相比LCD，它還是要貴出大約20%。不過隨著熱發泡式噴墨等新工藝的出現，2017年OLED面板的價格就會比LCD便宜二到三成了。

不過由於OLED面板藍色子像素的壽命有限，在使用一段時間後很容易出現“燒屏”的現象。而量子點面板就不會有這樣的困擾，它工作穩定，壽命較長。

此外，由於工藝相似，量子點屏幕也繼承了LCD低成本的特點，那層多出來的量子點濾光層成本很低。同樣尺寸下，量子點電視只比LCD的成本貴出100美元左右，如果換成5寸左右的移動設備顯示屏，成本的增加這隻有10美元左右。不過維持現有的成本水平並不能幫量子點面板取得完勝，畢竟OLED面板的成本未來會變的更低。

未來量子點技術絕對有實力成為OLED的有力競爭者，不過眼下它更像是LCD的改進版，而不是大家想象中OLED技術的接班人。當然，兩者都有自己的優勢和劣勢，不過量子點技術正在不斷彌合兩者間的分野。未來，我們會見到越來越多的高品質量子點和OLED面板出現，到底孰優孰劣，市場會給我們答案。參考自OFweek顯示網OLED方面的資訊......

納米線的介紹

納米線可以被定義為一種具有在橫向上被限制在100納米以下（縱向沒有限制）的一維結構。懸置納米線指納米線在真空條件下末端被固定。典型的納米線的縱橫比在1000以上，因此它們通常被稱為一維材料。1根據組成材料的不同，納米線可分為不同的類型，包括金屬納米線，半導體納米線和絕緣體納米線。納米線均在實驗室中生產，截至2014年尚未在自然界中發現。納米線可以由懸置法、沉積法或者元素合成法製得。懸置納米線可以通過對粗線的化學刻蝕得來，也可以用高能粒子（原子或分子）轟擊粗線產生。實驗室中生長的納米線分為兩種，分別為垂直於基底平面的納米線和平行於基底平面的納米線。生產納米線的硅和氧在地殼層是最常見的可持續和廉價利用的元素。實驗表明納米線可以被用於下一代計算設備，例如：通過對納米線摻雜，並對納米線交叉可以製作邏輯門。這些在小尺度下才具備的性質使得納米線被廣泛應用於新興的領域，例如納電機系統（NEMS納機電系統）。

請問最新的CPU用的幾十納米技術？用什麼光刻機實現的？最好具體點。

目前是INTEL的32NM,不過INTEL已經準備22NM了.

光刻機.32nm製程目前用的是193nm沉浸式光刻技術

具Intel透露,計劃要將193nm沉浸式光刻技術沿用到11nm節點製程

當然,光刻技術還有極紫外光刻技術,不過還處在實驗階段,顯然INTEL目前不怎麼看好這個技術 LS,現在INTEL的I3和I5 6XX就是32NM的CPU核心+45NM的GPU核心,I7 980X也是32NM製程